বিশ্বের শীর্ষস্থানীয় চুক্তিভিত্তিক চিপ নির্মাতা প্রতিষ্ঠান টিএসএমসি জাপানে তাদের দ্বিতীয় উৎপাদন কেন্দ্রে ২০২৮ সালের মধ্যে ৩-ন্যানোমিটার প্রক্রিয়ার ওয়েফারের বাণিজ্যিক উৎপাদন শুরু করার পরিকল্পনা করছে। তাইওয়ানের একটি সরকারি নথি থেকে এ তথ্য জানা গেছে। নথিটি গত ৩১ মার্চ প্রকাশিত হয়েছে। সূত্র রয়টার্স।

নথির বরাত দিয়ে জানা গেছে, জাপানের ওই দ্বিতীয় কারখানায় ৩-ন্যানোমিটার উন্নত প্রক্রিয়ায় প্রতি মাসে ১৫ হাজার ১২-ইঞ্চ ওয়েফার উৎপাদনের সক্ষমতা থাকবে।

এর আগে ২০২৪ সালে টিএসএমসি জানিয়েছিল, জাপানের প্রথম ও দ্বিতীয় কারখানা মিলিয়ে মোট বিনিয়োগ ২০ বিলিয়ন ডলার ছাড়িয়ে যাবে এবং প্রতি মাসে ১ লাখ ১২-ইঞ্চ ওয়েফার উৎপাদন হবে। তবে তখনকার পরিকল্পনা ছিল পেরানো প্রযুক্তি, যেমন ৪০, ২২/২৮, ১২/১৬ ও ৬/৭-ন্যানোমিটার রেঞ্জের চিপ উৎপাদনের কথা বলা হয়েছিল। এবার সেই জায়গায় আসছে অত্যাধুনিক ৩-ন্যানোমিটার প্রযুক্তি।

জাপানের সংবাদমাধ্যম ইয়োমিউরি গত ফেব্রুয়ারিতে জানিয়েছিল, দ্বিতীয় কারখানায় বিনিয়োগ প্রায় ১৭ বিলিয়ন ডলার হতে পারে। তবে টিএসএমসি এখন পর্যন্ত এ তথ্য সরাসরি নিশ্চিত করেনি।

উল্লেখ্য, ২০২১ সালে টিএসএমসি জাপানে তাদের সহযোগী প্রতিষ্ঠান জেএএসএম গঠন করে, সনি সেমিকন্ডাক্টর সলিউশনসের সহায়তায়। পরবর্তীতে ডেনসো কর্পোরেশন ও টয়োটা মোটর কর্পোরেশনও ক্ষুদ্র অংশীদার হিসেবে যোগ দেয়। জাপানের প্রথম টিএসএমসি কারখানায় ২০২৪ সালের শেষের দিকে উৎপাদন শুরু হয়েছে।

টিএসএমসির প্রধান নির্বাহী সিসি ওয়েই জানুয়ারিতে জাপানের প্রধানমন্ত্রী তাকাইচি সানায়ের সঙ্গে এক বৈঠকে স্পষ্ট জানিয়েছিলেন, জাপানের দ্বিতীয় কারখানায় ৩-ন্যানোমিটার চিপের বাণিজ্যিক উৎপাদনের পরিকল্পনা রয়েছে। এদিকে জাপান সরকার দেশের সেমিকন্ডাক্টর শিল্প শক্তিশালী করতে নানা প্রণোদনা দিয়ে আসছে। প্রধানমন্ত্রী টাকাইচি ঘোষণা দিয়েছেন, আগামী বছর জাপানের সেমিকন্ডাক্টর কৌশল নতুনভাবে সাজানো হবে, যেখানে ডিজাইন থেকে শুরু করে কৃত্রিম বুদ্ধিমত্তাভিত্তিক চিপ তৈরি পর্যন্ত সব ক্ষেত্রেই বিনিয়োগ উৎসাহিত করা হবে।